台湾专利TW201324490A 信號線驅動器電路以及液晶顯示裝置

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专利摘要:
本發明的一個方式抑制工作故障的產生。本發明的一個方式包括移位暫存器、具有決定以從移位暫存器輸入的脈衝信號相同的電位位準輸出第一脈衝信號還是第二脈衝信號的功能的選擇電路以及具有生成驅動信號輸出的多個驅動信號輸出電路。再者，多個驅動信號輸出電路分別包括鎖存單元、緩衝單元以及控制儲存在鎖存單元中的資料的改寫的開關單元。
公开号:TW201324490A
申请号:TW101140529
申请日:2012-11-01
公开日:2013-06-16
发明作者:Hiroyuki Miyake；Seiko Inoue
申请人:Semiconductor Energy Lab；
IPC主号:G09G3-00

专利说明:
信號線驅動器電路以及液晶顯示裝置
本發明的一個實施例係關於一種信號線驅動電路。此外，本發明的一個實施例關於一種液晶顯示裝置。
近年來，已對液晶顯示裝置等的半導體裝置進行了研究開發。
作為上述液晶顯示裝置的一種，已知使用如下驅動方法的液晶顯示裝置：在按行列方向排列的多個像素電路的各行像素電路中，在每個圖框期間分別使液晶元件所具有的一對電極中的一方的電位的極性和另一方的電位的極性反轉(例如，專利文獻1)。
藉由採用上述驅動方法，可以抑制液晶元件所引起的顯示影像的烙印且減少液晶顯示裝置所具備的信號線驅動電路的驅動電壓。
例如，在專利文獻1中公開了如下技術：藉由使用共同信號線驅動電路等的信號線驅動電路控制多個共同信號線的電位，在每個圖框期間使液晶元件所具有的上述一對電極中的另一方的電位反轉。
專利文獻1所示的信號線驅動電路具備移位暫存器以及包括鎖存單元及緩衝單元的多個電路。在專利文獻1所示的信號線驅動電路中，緩衝單元根據儲存在鎖存單元中的資料輸出電位被控制的信號作為共同信號。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2006-276541號公報
然而，習知的信號線驅動電路有容易產生工作故障的問題。
例如，在專利文獻1所示的信號線驅動電路中有如下問題：因構成信號線驅動電路的場效應電晶體的漏電流等而儲存在鎖存單元中的資料的電位變動，且被輸出的信號的電位不成為所希望的值，因此不能進行所希望的工作。
鑒於上述問題，本發明的一個實施例的課題之一是抑制工作故障的產生。
在本發明的一個實施例中，藉由使用包括鎖存單元、緩衝單元以及用來控制儲存在該鎖存單元中的資料的改寫的開關單元的電路生成用作驅動信號的信號，謀求儲存在鎖存單元中的資料的變動。
上述開關單元具有根據第一控制信號及第二控制信號控制儲存在鎖存單元中的資料的改寫的功能。由此，不輸入設置信號及重設信號的脈衝的期間進行資料的改寫來抑制儲存在鎖存單元中的成為資料的電位的變動。
本發明的一個實施例是一種信號線驅動電路，包括：移位暫存器；選擇電路，該選擇電路具有根據第一時脈信號及第二時脈信號決定以與從移位暫存器輸入的脈衝信號相同的電位位準輸出第一脈衝信號還是第二脈衝信號的功能；以及具有根據從選擇電路輸入的第一脈衝信號和第二脈衝信號以及第一控制信號和第二控制信號生成用來控制信號線的電位的驅動信號而輸出的功能的驅動信號輸出電路，其中，驅動信號輸出電路包括：根據第一脈衝信號及第二脈衝信號改寫第一資料及第二資料並儲存的鎖存單元；根據第一資料及第二資料設定驅動信號的電位並輸出該驅動信號的緩衝單元；以及藉由根據第一控制信號及第二控制信號成為導通狀態或截止狀態控制第一資料的改寫的開關單元。
此外，本發明的一個實施例是一種信號線驅動電路，包括：移位暫存器；選擇電路，該選擇電路具有根據第一時脈信號及第二時脈信號決定以與從移位暫存器輸入的脈衝信號相同的電位位準輸出第一脈衝信號還是第二脈衝信號的功能；以及具有根據從選擇電路輸入的第一脈衝信號和第二脈衝信號以及第一控制信號至第五控制信號生成用來控制信號線的電位的驅動信號而輸出的功能的驅動信號輸出電路，其中，驅動信號輸出電路包括：根據第一脈衝信號及第二脈衝信號改寫第一資料及第二資料並儲存的第一鎖存單元；根據第一脈衝信號及第二脈衝信號改寫第三資料及第四資料並儲存的第二鎖存單元；具有根據第一資料及第二資料設定第一信號的電位並輸出該第一信號的功能的第一緩衝單元；具有根據第三資料及第四資料設定第二信號的電位並輸出該第二信號的功能的第二緩衝單元；藉由根據第一控制信號及第二控制信號成為導通狀態或截止狀態控制第一資料的改寫的第一開關單元；藉由根據第一控制信號及第三控制信號成為導通狀態或截止狀態控制第三資料的改寫的第二開關單元；被輸入第二信號作為第四控制信號且藉由根據第四控制信號成為導通狀態或截止狀態控制儲存在第一鎖存單元中的第二資料的改寫的第三開關單元；被輸入第一信號作為第五控制信號且藉由根據第五控制信號成為導通狀態或截止狀態控制儲存在第二鎖存單元中的第四資料的改寫的第四開關單元；以及根據第一信號及第二信號設定驅動信號的電位並輸出該驅動信號的第三緩衝單元。
再者，在本發明的一個實施例中，使用上述信號線驅動電路控制像素電路的液晶元件所具有的一對電極中的另一方的電位。由此，在按行列方向排列的多個像素電路的各行像素電路中進行在每個圖框期間分別使液晶元件所具有的一對電極中的一方的電位的極性和另一方的電位的極性反轉的驅動方法來謀求閘極信號的電壓的降低。
再者，在本發明的一個實施例中，使用呈現藍相的液晶構成上述液晶元件。由此，提高液晶顯示裝置的工作速度。
因為根據本發明的一個實施例可以抑制儲存在鎖存單元中的成為資料的電位的變動以及從信號線驅動電路輸出的信號的電位的變動，所以可以抑制工作故障的產生。
說明本發明的實施方式的例子。注意，所屬技術領域的通常技術人員可以很容易地理解一個事實就是在不脫離本發明的宗旨及其範圍的情況下可以改變實施例的內容。因此，例如本發明不侷限於下述實施例的記載內容。
此外，各實施例的內容可以適當地組合。另外，各實施例的內容可以適當地互相置換。
另外，“第一”、“第二”等序數詞為了避免構成要素的混淆而附加，各構成要素的個數不侷限於序數詞的數目。 [實施例1]
在本實施例中參照圖1至圖6說明具有輸出多個驅動信號的功能的信號線驅動電路的例子。
如圖1所示，本實施例的信號線驅動電路包括移位暫存器(也稱為SR)101、多個選擇電路(也稱為SEL)112(在圖1中，選擇電路112_Z(Z是自然數)、選擇電路112_Z+1及選擇電路112_Z+2)以及多個驅動信號輸出電路(也稱為DO)113(在圖1中，驅動信號輸出電路113_Z、驅動信號輸出電路113_Z+1以及驅動信號輸出電路113_Z+2)。例如每個信號線設置有選擇電路112及驅動信號輸出電路113。由驅動信號輸出電路113生成的脈衝信號藉由對應的信號線被輸出。
對移位暫存器101輸入起始脈衝信號SP。
移位暫存器101具有根據起始脈衝信號SP輸出電位被控制的多個脈衝信號(SROUT)的功能。
如圖2所示，對選擇電路112從移位暫存器101輸入脈衝信號作為脈衝信號SELIN，且輸入時脈信號SECL及時脈信號RECL。例如，對多個選擇電路112的各個分別輸入互不相同的脈衝信號。此外，如圖2所示，選擇電路112輸出脈衝信號SELOUT1及脈衝信號SELOUT2。
選擇電路112具有根據脈衝信號SELIN、時脈信號SECL及時脈信號RECL決定以與脈衝信號SELIN相同的電位位準輸出脈衝信號SELOUT1還是脈衝信號SELOUT2的功能。
選擇電路112例如使用多個場效應電晶體構成。此時，藉由切換多個場效應電晶體的導通狀態和截止狀態，可以決定以與脈衝信號SELIN相同的電位位準輸出脈衝信號SELOUT1還是脈衝信號SELOUT2。
再者，對圖1所示的選擇電路112_Z及選擇電路112_Z+2輸入時脈信號GCLK1作為時脈信號SECL並輸入時脈信號GCLK2作為時脈信號RECL。此外，對選擇電路112_Z+1輸入時脈信號FCLK1作為時脈信號SECL並輸入時脈信號FCLK2作為時脈信號RECL。
如圖3A所示，對驅動信號輸出電路113輸入置位元信號SIN、重設信號RIN、控制信號CTL1及控制信號CTL2。此外，如圖3A所示，驅動信號輸出電路113輸出信號DOUT1及信號DOUT2。信號DOUT1成為驅動信號。驅動信號輸出電路113具有根據置位元信號SIN、重設信號RIN、控制信號CTL1及控制信號CTL2生成驅動信號而輸出的功能。此時，例如驅動信號被輸出到用來控制信號線的電位的佈線。
例如，驅動信號輸出電路113例如使用多個場效應電晶體構成。
再者，如圖3B所示，驅動信號輸出電路113包括鎖存單元(也稱為LAT)121、第一緩衝單元(也稱為BUF1)122、第二緩衝單元(也稱為BUF2)123以及開關單元(也稱為SW)124。
對鎖存單元121輸入置位元信號SIN及重設信號RIN。
鎖存單元121具有根據置位元信號SIN及重設信號RIN改寫資料D1及資料D2並儲存的功能。
第一緩衝單元122具有根據儲存在鎖存單元121中的資料D1及資料D2設定信號DOUT1的電位，並輸出信號DOUT1的功能。信號DOUT1的電位從電位VCH到電位VCL(低於電位VCH的電位)之間發生變化。
第二緩衝單元123具有根據儲存在鎖存單元121中的資料D1及資料D2設定信號DOUT2的電位並輸出信號DOUT2的功能。信號DOUT2的電位從電位VDD到電位VSS之間發生變化。電位VDD是高於電位VSS的電位，並是高位準的信號的電位(也稱為電位VH)。此外，電位VSS是接地電位以下的電位，並是低位準的信號的電位(也稱為電位VL)。
對開關單元124輸入控制信號CTL1及控制信號CTL2。
開關單元124具有藉由根據控制信號CTL1及控制信號CTL2成為導通狀態或截止狀態控制儲存在鎖存單元121中的資料D1的改寫的功能。
另外，作為控制信號CTL1，例如可以使用具有連續的多個脈衝之間的間隔比起始脈衝信號短的期間的信號。
此外，對驅動信號輸出電路113從選擇電路112輸入脈衝信號SELOUT1作為置位元信號SIN並從選擇電路112輸入脈衝信號SELOUT2作為重設信號RIN。此時，鎖存單元121具有根據脈衝信號SELOUT1及脈衝信號SELOUT2改寫資料D1及資料D2並儲存的功能。
此外，作為圖1所示的驅動信號輸出電路113_Z的控制信號CTL1輸入時脈信號CK_1。此外，作為驅動信號輸出電路113_Z+1的控制信號CTL1輸入時脈信號CK_2。此外，作為驅動信號輸出電路113_Z+2的控制信號CTL1輸入時脈信號CK_3。
此外，圖1所示的驅動信號輸出電路113_Z的信號DOUT1成為驅動信號DRV_Z。此外，驅動信號輸出電路113_Z+1的信號DOUT1成為驅動信號DRV_Z+1。此外，驅動信號輸出電路113_Z+2的信號DOUT1成為驅動信號DRV_Z+2。
此外，作為圖1所示的驅動信號輸出電路113_Z+2的控制信號CTL2輸入驅動信號輸出電路113_Z的信號DOUT2。由此，與輸入時脈信號GCLK1的情況相比可以使能夠改寫資料D1的期間為長，所以更有效地抑制信號線驅動電路的工作故障。
另外，圖4也可以示出圖1所示的信號線驅動電路所具備的多個驅動信號輸出電路113的連接關係。
此外，在圖4所示的結構中，如圖5A所示，對驅動信號輸出電路113輸入置位元信號SIN、重設信號RIN、控制信號CTL1、控制信號CTL2及控制信號CTL3。此外，如圖5A所示，驅動信號輸出電路113輸出信號DOUT1、信號DOUT2及信號DOUT3。驅動信號輸出電路113具有根據置位元信號SIN、重設信號RIN、控制信號CTL1至控制信號CTL5生成驅動信號而輸出的功能。
再者，如圖5B所示，驅動信號輸出電路113包括第一鎖存單元(也稱為LAT1)131a、第二鎖存單元131b(也稱為LAT2)、第一緩衝單元(也稱為BUF11)132a、第二緩衝單元(也稱為BUF12)132b、第一開關單元(也稱為SW1)133a、第二開關單元(也稱為SW2)133b、第三開關單元(也稱為SW3)133c、第四開關單元(也稱為SW4)133d以及第三緩衝單元(也稱為BUF13)134。
對第一鎖存單元131a輸入置位元信號SIN及重設信號RIN。
第一鎖存單元131a具有根據置位元信號SIN及重設信號RIN改寫資料D11及資料D22並儲存的功能。
對第二鎖存單元131b輸入置位元信號SIN及重設信號RIN。
第二鎖存單元131b具有根據置位元信號SIN及重設信號RIN改寫資料D13及資料D24並儲存的功能。
第一緩衝單元132a具有根據儲存在第一鎖存單元131a中的資料D11及資料D22設定信號DOUT1的電位並輸出信號DOUT1的功能。信號DOUT1的電位從電位VDD(VH)到電位VSS(VL)之間發生變化。
第二緩衝單元132b具有根據儲存在第二鎖存單元131b中的資料D13及資料D24設定信號DOUT2的電位並輸出信號DOUT2的功能。信號DOUT2的電位從電位VDD(VH)到電位VSS(VL)之間發生變化。
對第一開關單元133a輸入控制信號CTL1及控制信號CTL2。第一開關單元133a具有藉由根據控制信號CTL1及控制信號CTL2成為導通狀態或截止狀態控制儲存在第一鎖存單元131a中的資料D11的改寫的功能。
對第二開關單元133b輸入控制信號CTL1及控制信號CTL3。第二開關單元133b具有藉由根據控制信號CTL1及控制信號CTL3成為導通狀態或截止狀態控制儲存在第二鎖存單元131b中的資料D13的改寫的功能。
對第三開關單元133c輸入信號DOUT2作為控制信號CTL4。第三開關單元133c具有藉由根據控制信號CTL4成為導通狀態或截止狀態控制儲存在第一鎖存單元131a中的資料D22的改寫的功能。
對第四開關單元133d輸入信號DOUT1作為控制信號CTL5。第四開關單元133d具有藉由根據控制信號CTL5成為導通狀態或截止狀態控制儲存在第二鎖存單元131b中的資料D24的改寫的功能。
因為藉由輸入信號DOUT2作為第三開關單元133c的控制信號CTL4並輸入信號DOUT1作為第四開關單元133d的控制信號CTL5，可以繼續供應電位VDD或電位VSS作為成為第一鎖存單元的資料D22的電位及成為第二鎖存單元的資料D24的電位，所以可以保持成為第一鎖存單元的資料D22的電位及成為第二鎖存單元的資料D24的電位。
第三緩衝單元134具有根據信號DOUT1及信號DOUT2設定信號DOUT3的電位並輸出信號DOUT3的功能。信號DOUT3的電位從電位VCH到電位VCL之間發生變化。
此外，對圖4所示的多個驅動信號輸出電路113分別輸入多個選擇電路112的脈衝信號SELOUT1中的一個作為置位元信號SIN以及多個選擇電路112的脈衝信號SELOUT2中的一個作為重設信號RIN。例如，對驅動信號輸出電路113_Z+1輸入選擇電路112_Z+1的脈衝信號SELOUT1作為置位元信號SIN以及選擇電路112_Z+1的脈衝信號SELOUT2作為重設信號RIN。
此外，作為圖4所示的驅動信號輸出電路113_Z的控制信號CTL1輸入時脈信號CK_1。另外，作為驅動信號輸出電路113_Z+1的控制信號CTL1輸入時脈信號CK_2。此外，作為驅動信號輸出電路113_Z+2的控制信號CTL1輸入時脈信號CK_3。
此外，作為圖4所示的驅動信號輸出電路113_Z+2的控制信號CTL2輸入驅動信號輸出電路113_Z的信號DOUT1。另外，作為驅動信號輸出電路113_Z+2的控制信號CTL3輸入驅動信號輸出電路113_Z的信號DOUT2。由此，與作為驅動信號輸出電路113_Z+2的控制信號CTL2輸入時脈信號GCLK1且作為驅動信號輸出電路113_Z+2的控制信號CTL3輸入時脈信號GCLK2的情況相比，可以使能夠改寫圖5B所示的資料D11及資料D13的期間為長，所以更有效地抑制信號線驅動電路的工作故障。
此外，圖4所示的驅動信號輸出電路113_Z的信號DOUT3成為驅動信號DRV_Z。另外，驅動信號輸出電路113_Z+1的信號DOUT3成為驅動信號DRV_Z+1。此外，驅動信號輸出電路113_Z+2的信號DOUT3成為驅動信號DRV_Z+2。
另外，移位暫存器101、選擇電路112及驅動信號輸出電路113也可以分別由具有彼此同一的導電型的場效應電晶體構成。由此，與使用具有互不相同的導電型的場效應電晶體構成信號線驅動電路的情況相比可以簡化製程。
接著，作為本實施例的信號線驅動電路的驅動方法例子，參照圖6的時序圖說明圖1所示的信號線驅動電路的驅動方法例子。另外，作為一個例子，時脈信號CK_1至時脈信號CK_3分別是工作比為25%且按順序錯開1/4週期的時脈信號。此外，時脈信號FCLK1、時脈信號FCLK2、時脈信號GCLK1及時脈信號GCLK2分別是工作比為50%的時脈信號，時脈信號FCLK2是時脈信號FCLK1的反轉信號，並且時脈信號GCLK2是時脈信號GCLK1的反轉信號。此外，時序圖中的雙重的波狀線表示省略符號。
如圖6所示，在圖1所示的信號線驅動電路的驅動方法例子中，在期間T11對移位暫存器101輸入起始脈衝信號SP的脈衝。
在此情況下，根據時脈信號CK_1至CK_3，在期間T12對選擇電路112_Z輸入脈衝信號SROUT_Z的脈衝，在期間T13對選擇電路112_Z+1輸入脈衝信號SROUT_Z+1的脈衝，且在期間T14對選擇電路112_Z+2輸入脈衝信號SROUT_Z+2的脈衝。另外，在期間T11至期間T17，時脈信號FCLK1處於低位準，時脈信號FCLK2處於高位準，時脈信號GCLK1處於高位準，且時脈信號GCLK2處於低位準。
此時，選擇電路112_Z及選擇電路112_Z+2分別將被輸入的脈衝信號SROUT_Z或脈衝信號SROUT_Z+2的脈衝看作脈衝信號SELOUT1的脈衝輸出。
此外，選擇電路112_Z+1將被輸入的脈衝信號SROUT_Z+1的脈衝看作脈衝信號SELOUT2的脈衝輸出。
上述脈衝信號SELOUT1的脈衝被輸入到驅動信號輸出電路113_Z及驅動信號輸出電路113_Z+2中作為置位元信號SIN的脈衝。對輸入有置位元信號SIN的脈衝的驅動信號輸出電路113寫入電位VDD作為資料D1及電位VSS作為資料D2。因此，信號DOUT1的電位成為電位VCH，且信號DOUT2的電位成為電位VH。例如，驅動信號輸出電路113_Z的信號DOUT1(驅動信號DRV_Z)在期間T12成為電位VCH，並且驅動信號輸出電路113_Z+2的信號DOUT1(驅動信號DRV_Z+2)在期間T14成為電位VCH。
此外，上述脈衝信號SELOUT2的脈衝被輸入到驅動信號輸出電路113_Z+1中作為重設信號RIN的脈衝。對輸入有重設信號RIN的脈衝的驅動信號輸出電路113寫入電位VSS作為資料D1以及電位VDD作為資料D2。因此，信號DOUT1的電位成為電位VCL，且信號DOUT2的電位成為電位VL。例如，驅動信號輸出電路113_Z+1的信號DOUT1(驅動信號DRV_Z+1)在期間T13成為電位VCL。
再者，在期間T15至期間T17，根據時脈信號CK_1至時脈信號CK_3、時脈信號FCLK1和時脈信號FCLK2以及時脈信號GCLK1和時脈信號GCLK2，輸入到輸入有置位元信號SIN的脈衝的驅動信號輸出電路113中的控制信號CTL1及控制信號CTL2成為高位準。由此，對輸入有電位VDD作為資料D1的驅動信號輸出電路113寫入電位VDD作為資料的改寫。因此，可以直到再次對移位暫存器101輸入起始脈衝信號SP的脈衝抑制資料D1的電位的變動。
再者，在期間T18再次對移位暫存器101輸入起始脈衝信號SP的脈衝。
此時，根據時脈信號CK_1至時脈信號CK_3，在期間T19對選擇電路112_Z輸入脈衝信號SROUT_Z的脈衝，在期間T20對選擇電路112_Z+1輸入脈衝信號SROUT_Z+1的脈衝，在期間T21對選擇電路112_Z+2輸入脈衝信號SROUT_Z+2的脈衝。此外，在期間T18至期間T21，時脈信號FCLK1成為高位準，時脈信號FCLK2成為低位準，時脈信號GCLK1成為低位準，且時脈信號GCLK2成為高位準。
此時，選擇電路112_Z及選擇電路112_Z+2分別將被輸入的脈衝信號SROUT_Z或脈衝信號SROUT_Z+2的脈衝看作脈衝信號SELOUT2的脈衝輸出。
此外，選擇電路112_Z+1將被輸入的脈衝信號SROUT_Z+1的脈衝看作脈衝信號SELOUT1的脈衝輸出。
對輸入有置位元信號SIN的脈衝的驅動信號輸出電路113寫入電位VDD作為資料D1以及電位VSS作為資料D2。因此，信號DOUT1的電位成為電位VCH，並且信號DOUT2的電位成為電位VH。
對輸入有置位元信號RIN的脈衝的驅動信號輸出電路113寫入電位VSS作為資料D1以及電位VDD作為資料D2。因此，信號DOUT1的電位成為電位VCL，並且信號DOUT2的電位成為電位VL。
另外，時脈信號FCLK1和時脈信號GCLK1可以是相同的信號，且時脈信號FCLK2和時脈信號GCLK2可以是相同的信號。此時，信號DRV_Z+1是第Z信號DRV_Z轉移的信號。
以上是圖1所示的信號線驅動電路的驅動方法例子的說明。
如參照圖1至圖6所說明那樣，在本實施例的信號線驅動電路的一個例子包括移位暫存器、從移位暫存器被輸入不同脈衝信號且決定以與脈衝信號相同的電位位準輸出第一脈衝信號還是第二脈衝信號的多個選擇電路以及分別輸入有不同的選擇電路的第一脈衝信號及第二脈衝信號。藉由採用上述結構，可以輸出多個驅動信號。
此外，在本實施例的信號線驅動電路的一個例子中，藉由在驅動信號輸出電路中設置控制儲存在鎖存單元中的資料的改寫的開關單元，即使在不從移位暫存器輸出脈衝信號的脈衝的期間也可以進行該資料的改寫。因此，例如可以抑制構成驅動信號輸出電路的場效應電晶體的洩漏電流所引起的成為第一資料的電位的變動。由此，可以抑制信號線驅動電路的工作故障。
此外，例如可以將本實施例的信號線驅動電路應用於使用多個信號線控制多個電路的驅動的半導體裝置諸如液晶顯示裝置或電子紙等。 [實施例2]
在本實施例中，說明藉由共同信號線輸出驅動信號的信號線驅動電路及具備該信號線驅動電路的液晶顯示裝置的例子。
首先，參照圖7A說明液晶顯示裝置的結構例子。
圖7A所示的液晶顯示裝置包括信號線驅動電路201、信號線驅動電路202、信號線驅動電路203、資料信號線DL_1至資料信號線DL_Y(Y是2以上的自然數)、閘極信號線GL_1至閘極信號線GL_X(X是2以上的自然數)、共同信號線CL_1至共同信號線CL_X以及排列為X行Y列的多個像素電路210。
信號線驅動電路201具有生成多個資料信號DS(資料信號DS_1至資料信號DS_Y)的功能。信號線驅動電路201具有由多個資料信號DS控制多個資料信號線DL(資料信號線DL_1至資料信號線DL_Y)的電位來控制像素電路210的驅動的功能。
信號線驅動電路202具有生成多個閘極信號GS(閘極信號GS_1至閘極信號GS_X)的功能。信號線驅動電路202具有由多個閘極信號GS控制多個閘極信號線GL(閘極信號線GL_1至閘極信號線GL_X)的電位來控制像素電路210的驅動的功能。
信號線驅動電路203具有生成多個共同信號CS(共同信號CS_1至共同信號CS_X)的功能。信號線驅動電路203具有由多個共同信號CS控制多個共同信號線CL(共同信號線CL_1至共同信號線CL_X)的電位來控制像素電路210的驅動的功能。
作為信號線驅動電路203，例如可以使用實施例1所示的信號線驅動電路。
多個像素電路210分別包括場效應電晶體211、具有一對電極及液晶層的液晶元件212以及電容元件213。另外，不一定必須設置電容元件213。
再者，在M列N行(M是X以下的自然數，N是Y以下的自然數)的像素電路210中，場效應電晶體211所具有的源極和汲極中的一方與資料信號線DL_N(多個資料信號線DL中的一個)電連接。此外，在M列N行的像素電路210中，場效應電晶體211所具有的閘極與閘極信號線GL_M(多個閘極信號線GL中的一個)電連接。
此外，在M列N行的像素電路210中，液晶元件212所具有的一對電極中的一方與M列N行的像素電路210的場效應電晶體211所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，在M列N行的像素電路210中，液晶元件212所具有的一對電極中的另一方與共同信號線CL_M(多個共同信號線CL中的一個)電連接。
在液晶元件212中根據施加到一對電極之間的電壓控制液晶層所包括的液晶的配向。
此外，在M列N行的像素電路210中，電容元件213所具有的一對電極中的一方與M列N行的像素電路210的場效應電晶體211所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，在M列N行的像素電路210中，對電容元件213所具有的一對電極中的另一方供應電位VSS。
接著，參照圖7B說明信號線驅動電路203的結構例子。
信號線驅動電路203包括移位暫存器230(圖7B的移位暫存器230)、多個選擇電路232(在圖7B中只圖示選擇電路232_1至選擇電路232_4)以及多個驅動信號輸出電路233(在圖7B中只圖示驅動信號輸出電路233_1至驅動信號輸出電路233_4)。再者，移位暫存器230包括脈衝輸出電路231_1至脈衝輸出電路231_X。另外，在本實施例中說明設置選擇電路232_1至選擇電路232_X以及驅動信號輸出電路233_1至驅動信號輸出電路233_X的情況。另外，圖7A及7B示出X是3以上的自然數的情況。
再者，參照圖8A至圖10B說明圖7B所示的信號線驅動電路的各構成要素。
圖8A和8B是用來說明圖7B所示的移位暫存器230的脈衝輸出電路的結構例子的圖。
如圖8A所示，對脈衝輸出電路231輸入置位元信號LIN_F、重設信號RIN_F、時脈信號CL_F、時脈信號CLp_F以及初始化信號INI_RES。此外，圖8A所示的脈衝輸出電路輸出信號FOUT。信號FOUT成為移位暫存器230的脈衝信號SROUT。注意，初始化信號INI_RES是例如在使脈衝輸出電路初始化時等使用的信號，並且藉由將初始化信號INI_RES的脈衝輸入到脈衝輸出電路中，使脈衝輸出電路初始化。此外，不一定必須將初始化信號INI_RES輸入到脈衝輸出電路中。
另外，除了不被輸入重設信號RIN_F之外，脈衝輸出電路231_X+1的結構與其他脈衝輸出電路相同。
再者，如圖8B所示，圖8A所示的脈衝輸出電路231包括場效應電晶體311至場效應電晶體319以及電容元件321和電容元件322。
對場效應電晶體311所具有的源極和汲極中的一方供應電位VDD。此外，對場效應電晶體311所具有的閘極輸入置位元信號LIN_F。
對場效應電晶體312所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。此外，對場效應電晶體312所具有的閘極輸入置位元信號LIN_F。
對場效應電晶體313所具有的源極和汲極中的一方供應電位VDD。此外，對場效應電晶體313所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體312所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體313所具有的閘極供應重設信號RIN_F。
對場效應電晶體314所具有的源極和汲極中的一方供應電位VDD。此外，對場效應電晶體314所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體312所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體314所具有的閘極輸入初始化信號INI_RES。另外，不一定必須設置場效應電晶體314。
對場效應電晶體315所具有的源極和汲極中的一方供應電位VDD。此外，對場效應電晶體315所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體312所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體315所具有的閘極輸入時脈信號CLp_F。
對場效應電晶體316所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。此外，對場效應電晶體316所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體311所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，場效應電晶體316所具有的閘極與場效應電晶體312所具有的源極和汲極中的另一方電連接。
場效應電晶體317所具有的源極和汲極中的一方與場效應電晶體311所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體317所具有的閘極供應電位VDD。
對場效應電晶體318所具有的源極和汲極中的一方輸入時脈信號CL_F。此外，場效應電晶體318所具有的閘極與場效應電晶體317所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，在圖8B所示的脈衝輸出電路中，場效應電晶體318所具有的源極和汲極中的另一方的電位成是信號FOUT的電位。
對場效應電晶體319所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。此外，場效應電晶體319所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體318所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，場效應電晶體319所具有的閘極與場效應電晶體312所具有的源極和汲極中的另一方電連接。
對電容元件321所具有的一對電極中的一方供應電位VSS。此外，電容元件321所具有的一對電極中的另一方與場效應電晶體312所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，不一定必須設置電容元件321。
電容元件322所具有的一對電極中的一方與場效應電晶體318所具有的閘極電連接。此外，電容元件322所具有的一對電極中的另一方與場效應電晶體318所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，不一定必須設置電容元件322。
在圖8B所示的脈衝輸出電路中，藉由根據置位元信號LIN_F使場效應電晶體311及場效應電晶體312成為導通狀態且使場效應電晶體318成為導通狀態，信號FOUT的電位與時脈信號CL_F的電位同等。此時，場效應電晶體319處於截止狀態。此外，在圖8B所示的脈衝輸出電路中，藉由根據重設信號RIN_F使場效應電晶體313成為導通狀態且使場效應電晶體319成為導通狀態，信號FOUT的電位與電位VSS同等。此時，因為場效應電晶體313處於導通狀態，且場效應電晶體316處於導通狀態，所以場效應電晶體318處於截止狀態。由此，脈衝輸出電路輸出脈衝信號。
此外，對圖7B所示的移位暫存器230輸入起始脈衝信號SP作為脈衝輸出電路231_1的置位元信號LIN_F。
另外，也可以使用來對信號線驅動電路203輸入起始脈衝信號SP的佈線與保護電路電連接。
此外，對移位暫存器230輸入脈衝輸出電路231_K-1的信號FOUT作為脈衝輸出電路231_K(K是2以上且X以下的自然數)的置位元信號LIN_F。
此外，對移位暫存器230輸入脈衝輸出電路231_M+1的信號FOUT作為脈衝輸出電路231_M的重設信號RIN_F。
此外，對移位暫存器230輸入時脈信號CLK1作為脈衝輸出電路231_1的時脈信號CL_F以及時脈信號CLK2作為時脈信號CLp_F。再者，以脈衝輸出電路231_1為標準，對每隔三個脈衝輸出電路輸入時脈信號CLK1作為時脈信號CL_F以及時脈信號CLK2作為時脈信號CLp_F。
此外，對移位暫存器230輸入時脈信號CLK2作為脈衝輸出電路231_2的時脈信號CL_F以及時脈信號CLK3作為時脈信號CLp_F。再者，以脈衝輸出電路231_2為標準，對每隔三個脈衝輸出電路輸入時脈信號CLK2作為時脈信號CL_F以及時脈信號CLK3作為時脈信號CLp_F。
此外，對移位暫存器230輸入時脈信號CLK3作為脈衝輸出電路231_3的時脈信號CL_F以及時脈信號CLK4作為時脈信號CLp_F。再者，以脈衝輸出電路231_3為標準，對每隔三個脈衝輸出電路輸入時脈信號CLK3作為時脈信號CL_F以及時脈信號CLK4作為時脈信號CLp_F。
此外，對移位暫存器230輸入時脈信號CLK4作為脈衝輸出電路231_4的時脈信號CL_F以及時脈信號CLK1作為時脈信號CLp_F。再者，以脈衝輸出電路231_4為標準，對每隔三個脈衝輸出電路輸入時脈信號CLK4作為時脈信號CL_F以及時脈信號CLK1作為時脈信號CLp_F。
另外，也可以使用來輸入時脈信號CLK1的佈線至用來輸入時脈信號CLK4的佈線分別與保護電路電連接。
以上是脈衝輸出電路的說明。
再者，圖9A和9B是用來說明選擇電路的結構例子的圖。
如圖9A所示，對選擇電路232輸入脈衝信號SELIN、時脈信號SECL及時脈信號RECL。此外，選擇電路232輸出脈衝信號SELOUT1及脈衝信號SELOUT2。選擇電路232具有根據時脈信號SECL及時脈信號RECL決定以脈衝信號SELIN相同的電位位準輸出脈衝信號SELOUT1還是脈衝信號SELOUT2的功能。
此外，如圖9B所示，圖9A所示的選擇電路232具備場效應電晶體331至場效應電晶體336。
對場效應電晶體331所具有的源極和汲極中的一方輸入脈衝信號SELIN。此外，場效應電晶體331所具有的源極和汲極中的另一方的電位是脈衝信號SELOUT1的電位。
對場效應電晶體332所具有的源極和汲極中的一方輸入脈衝信號SELIN。此外，場效應電晶體332所具有的源極和汲極中的另一方的電位是脈衝信號SELOUT2的電位。
對場效應電晶體333所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。此外，場效應電晶體333所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體331所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，對場效應電晶體333所具有的閘極輸入時脈信號RECL。
對場效應電晶體334所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。此外，場效應電晶體334所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體332所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，對場效應電晶體334所具有的閘極輸入時脈信號SECL。
對場效應電晶體335所具有的源極和汲極中的一方輸入時脈信號SECL。此外，場效應電晶體335所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體331所具有的閘極電連接。此外，對場效應電晶體335所具有的閘極供應電位VDD。另外，不一定必須設置場效應電晶體335。
對場效應電晶體336所具有的源極和汲極中的一方輸入時脈信號RECL。此外，場效應電晶體336所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體332所具有的閘極電連接。此外，對場效應電晶體336所具有的閘極供應電位VDD。另外，不一定必須設置場效應電晶體336。
在圖9B所示的選擇電路中，藉由根據時脈信號SECL使場效應電晶體331成為導通狀態，將脈衝信號SELIN看作脈衝信號SELOUT1輸出。此時，場效應電晶體332處於截止狀態，而場效應電晶體334處於導通狀態。此外，在圖9B所示的選擇電路中，藉由根據時脈信號RECL使場效應電晶體332成為導通狀態，將脈衝信號SELIN看作脈衝信號SELOUT2輸出。此時，場效應電晶體331處於截止狀態，而場效應電晶體333處於導通狀態。
此外，作為圖7B所示的選擇電路232_1的脈衝信號SELIN輸入起始脈衝信號SP。
此外，作為選擇電路232_K的脈衝信號SELIN輸入脈衝輸出電路231_K-1的信號FOUT。
此外，作為選擇電路232_Q(Q是1以上且X以下的奇數)的時脈信號SECL輸入時脈信號FCLK1。
此外，作為選擇電路232_Q的時脈信號RECL輸入時脈信號FCLK2。
此外，作為選擇電路232_R(R是2以上且X以下的偶數)的時脈信號SECL輸入時脈信號GCLK1。
此外，作為選擇電路232_R的時脈信號RECL輸入時脈信號GCLK2。
另外，也可以使用來輸入時脈信號FCLK1的佈線、用來輸入時脈信號FCLK2的佈線、用來輸入時脈信號GCLK1的佈線及用來輸入時脈信號GCLK2的佈線分別與保護電路電連接。
以上是選擇電路的說明。
再者，圖10A和10B是用來說明驅動信號輸出電路的例子的圖。
如圖10A所示，對驅動信號輸出電路233輸入設置信號SIN_D、重設信號RIN_D、控制信號CTL1_D、控制信號CTL2_D及初始化信號INI_RES。另外，藉由將初始化信號INI_RES的脈衝輸入到驅動信號輸出電路中，使驅動信號輸出電路233初始化。此外，不一定必須對驅動信號輸出電路233輸入初始化信號INI_RES。另外，驅動信號輸出電路233輸出信號DOUT1及信號DOUT2。信號DOUT1成為從驅動信號輸出電路233輸出的共同信號。此外，也可以使用來輸出信號DOUT1的佈線與保護電路電連接。另外，圖10A所示的驅動信號輸出電路233與圖3A和3B所示的驅動信號輸出電路同樣包括鎖存單元、第一緩衝單元、第二緩衝單元以及開關單元。再者，下面說明詳細內容。
如圖10B所示，圖10A所示的驅動信號輸出電路233包括場效應電晶體351至場效應電晶體364以及電容元件371及電容元件372。另外，場效應電晶體351至場效應電晶體364的各個是N通道型電晶體。
場效應電晶體351設置在鎖存單元中。此外，對場效應電晶體351所具有的源極和汲極中的一方供應電位VDD。此外，對場效應電晶體351所具有的閘極輸入設置信號SIN_D。
場效應電晶體352設置在鎖存單元中。此外，對場效應電晶體352所具有的源極和汲極中的一方供應電位VDD。此外，對場效應電晶體352所具有的閘極輸入重設信號RIN_D。
場效應電晶體353設置在鎖存單元中。此外，對場效應電晶體353所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。另外，場效應電晶體353所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體352所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體353所具有的閘極輸入設置信號SIN_D。
場效應電晶體354設置在鎖存單元中。此外，對場效應電晶體354所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。另外，場效應電晶體354所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體351所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體354所具有的閘極輸入重設信號RIN_D。
場效應電晶體355設置在第一緩衝單元中。此外，對場效應電晶體355所具有的源極和汲極中的一方供應電位TCOMH。另外，場效應電晶體355所具有的源極和汲極中的另一方的電位是信號DOUT1的電位。
場效應電晶體356設置在第一緩衝單元中。此外，對場效應電晶體356所具有的源極和汲極中的一方供應電位TCOML。另外，場效應電晶體356所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體355所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，場效應電晶體356所具有的閘極與場效應電晶體352所具有的源極和汲極中的另一方電連接。
另外，電位TCOMH及電位TCOML是用來設定共同信號的電位的電位，並且電位TCOMH高於電位TCOML。
場效應電晶體357設置在第二緩衝單元中。此外，對場效應電晶體357所具有的源極和汲極中的一方供應電位VDD。另外，場效應電晶體357所具有的源極和汲極中的另一方的電位是信號DOUT2的電位。
場效應電晶體358設置在第二緩衝單元中。此外，對場效應電晶體358所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。另外，場效應電晶體358所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體357所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，場效應電晶體358所具有的閘極與場效應電晶體352所具有的源極和汲極中的另一方電連接。
場效應電晶體359設置在開關單元中。此外，對場效應電晶體359所具有的源極和汲極中的一方供應電位VDD。此外，對場效應電晶體359所具有的閘極輸入控制信號CTL1_D。
場效應電晶體360設置在開關單元中。此外，場效應電晶體360所具有的源極和汲極中的一方與場效應電晶體359所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，場效應電晶體360所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體351所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體360所具有的閘極輸入控制信號CTL2_D。
對場效應電晶體361所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。此外，場效應電晶體361所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體351所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，場效應電晶體361所具有的閘極與場效應電晶體352所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，不一定必須設置場效應電晶體361。
對場效應電晶體362所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。此外，場效應電晶體362所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體352所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，場效應電晶體362所具有的閘極與場效應電晶體357所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，不一定必須設置場效應電晶體362。
場效應電晶體363所具有的源極和汲極中的一方與場效應電晶體351所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，場效應電晶體363所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體355所具有的閘極及場效應電晶體357所具有的閘極電連接。另外，對場效應電晶體363所具有的閘極供應電位VDD。此外，不一定必須設置場效應電晶體363。
對場效應電晶體364所具有的源極和汲極中的一方與供應電位VDD。此外，場效應電晶體364所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體356所具有的閘極及場效應電晶體358所具有的閘極電連接。另外，對場效應電晶體364所具有的閘極輸入初始化信號INI_RES。此外，不一定必須設置場效應電晶體364。
對電容元件371所具有的一對電極中的一方供應電位VSS。此外，電容元件371所具有的一對電極中的另一方與場效應電晶體356所具有的閘極及場效應電晶體358所具有的閘極電連接。另外，不一定必須設置電容元件371。
電容元件372所具有的一對電極中的一方與場效應電晶體355所具有的閘極及場效應電晶體357所具有的閘極電連接，且電容元件372所具有的一對電極中的另一方與場效應電晶體357所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，不一定必須設置電容元件372。
在圖10B所示的驅動信號輸出電路中，藉由根據設置信號SIN_D使場效應電晶體351及場效應電晶體353成為導通狀態且使場效應電晶體355成為導通狀態，信號DOUT1的電位與電位TCOMH同等。此時，場效應電晶體356處於截止狀態。此外，在圖10B所示的驅動信號輸出電路中，藉由根據重設信號RIN_D使場效應電晶體352以及場效應電晶體354成為導通狀態且使場效應電晶體356成為導通狀態，信號DOUT1的電位與電位TCOML同等。此時，因為場效應電晶體355處於截止狀態。
此外，作為圖7B所示的驅動信號輸出電路233_M的設置信號SIN_D輸入選擇電路232_M的脈衝信號SELOUT1。
此外，作為驅動信號輸出電路233_M的重設信號RIN_D輸入選擇電路232_M的脈衝信號SELOUT2。
此外，作為驅動信號輸出電路233_1的控制信號CTL1_D輸入時脈信號CLK4。再者，以驅動信號輸出電路233_1為標準，對每隔三個驅動信號輸出電路輸入時脈信號CLK4作為控制信號CTL1_D。
此外，作為驅動信號輸出電路233_2的控制信號CTL1_D輸入時脈信號CLK1。再者，以驅動信號輸出電路233_2為標準，對每隔三個驅動信號輸出電路輸入時脈信號CLK1作為控制信號CTL1_D。
此外，作為驅動信號輸出電路233_3的控制信號CTL1_D輸入時脈信號CLK2。再者，以驅動信號輸出電路233_3為標準，對每隔三個驅動信號輸出電路輸入時脈信號CLK2作為控制信號CTL1_D。
此外，作為驅動信號輸出電路233_4的控制信號CTL1_D輸入時脈信號CLK3。再者，以驅動信號輸出電路233_4為標準，對每隔三個驅動信號輸出電路輸入時脈信號CLK3作為控制信號CTL1_D。
此外，作為驅動信號輸出電路233_1的控制信號CTL2_D輸入時脈信號FCLK1。
此外，作為驅動信號輸出電路233_2的控制信號CTL2_D輸入時脈信號GCLK1。
此外，作為驅動信號輸出電路233_L(L是3以上且X以下的自然數)的控制信號CTL2_D輸入驅動信號輸出電路233_L-2的信號DOUT2。
此外，驅動信號輸出電路233_M的信號DOUT1成為共同信號CS_M。
以上是圖7B所示的信號線驅動電路的說明。
此外，本實施例的液晶顯示裝置的結構也可以採用圖11A所示的結構。圖11A所示的液晶顯示裝置具有信號線驅動電路203與多個閘極信號線GL及多個共同信號線CL電連接的結構。
圖11B示出此時的信號線驅動電路203的結構例子。圖11B所示的移位暫存器230設置在信號線驅動電路202中。此外，多個選擇電路232及多個驅動信號輸出電路233設置在信號線驅動電路203中。由此，即使在信號線驅動電路203中不設置移位暫存器，也可以使用信號線驅動電路202的移位暫存器230對信號線驅動電路203的選擇電路232輸出脈衝信號SROUT。
此外，作為本實施例的液晶顯示裝置的結構採用圖12A所示的結構。圖12A所示的液晶顯示裝置具有具備信號線驅動電路204代替信號線驅動電路202及信號線驅動電路203的結構。
圖12B示出信號線驅動電路204的結構例子。圖12B所示的信號線驅動電路204除了圖7B所示的信號線驅動電路的結構之外還具有輸出閘極信號GS_1至閘極信號GS_X的功能。
在圖12B所示的信號線驅動電路中，脈衝輸出電路231_M的信號FOUT成為閘極信號GS_M。
此外，圖7B所示的信號線驅動電路也可以採用其他結構。圖13示出圖7B所示的信號線驅動電路的其他結構。
圖13所示的信號線驅動電路與圖7B所示的信號線驅動電路不同之處是移位暫存器的脈衝輸出電路和驅動信號輸出電路的結構。
參照圖14A和14B說明圖13所示的脈衝輸出電路的結構例子。
對圖14A所示的脈衝輸出電路231輸入初始化信號INI_RES1及初始化信號INI_RES2代替初始化信號INI_RES。另外，初始化信號INI_RES1及初始化信號INI_RES2是例如使電路中的多個連接部分的電位獨立地初始化時等使用的信號，藉由對脈衝輸出電路輸入初始化信號INI_RES1及初始化信號INI_RES2的脈衝，脈衝輸出電路被初始化。另外，初始化信號INI_RES1及初始化信號INI_RES2是具有不同的波形的信號。此外，不一定必須對脈衝輸出電路輸入初始化信號INI_RES1及初始化信號INI_RES2。
再者，如圖14B所示，圖14A所示的脈衝輸出電路除了圖8B所示的脈衝輸出電路的結構之外還具備場效應電晶體320。
對場效應電晶體320所具有的源極和汲極中的一方供應電位VDD。此外，場效應電晶體320所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體319所具有的閘極電連接。另外，對場效應電晶體320所具有的閘極輸入初始化信號INI_RES2。
此外，在圖14B所示的脈衝輸出電路中，對場效應電晶體314的閘極輸入初始化信號INI_RES1代替初始化信號INI_RES。
以上是圖13所示的脈衝輸出電路的說明。
此外，參照圖15A和15B說明圖13所示的驅動信號輸出電路的結構例子。
對圖15A所示的驅動信號輸出電路233輸入設置信號SIN_D、重設信號RIN_D、控制信號CTL1_D至控制信號CTL4_D、初始化信號INI_RES1及初始化信號INI_RES2。另外，藉由對驅動信號輸出電路輸入初始化信號INI_RES1及初始化信號INI_RES2的脈衝，使驅動信號輸出電路初始化。此外，不一定必須對驅動信號輸出電路輸入初始化信號INI_RES1及初始化信號INI_RES2。此外，如圖15A所示，圖13所示的多個驅動信號輸出電路233分別具有輸出信號SCOUT、信號RCOUT及信號DOUT的功能。信號DOUT成為共同信號。
再者，圖15A所示的驅動信號輸出電路包括儲存資料D11及資料D22的第一鎖存單元、儲存資料D13及資料D24的第二鎖存單元、第一緩衝單元、第二緩衝單元、第一開關單元、第二開關單元、第三開關單元、第四開關單元以及第三緩衝單元。再者，下面說明其詳細內容。
如圖15B所示，圖15A所示的驅動信號輸出電路包括場效應電晶體431至場效應電晶體444、電容元件451及電容元件452、場效應電晶體461至場效應電晶體474以及電容元件481及電容元件482。
場效應電晶體431設置在第一鎖存單元中，且場效應電晶體461設置在第二鎖存單元中。此外，對場效應電晶體431所具有的源極和汲極中的一方及場效應電晶體461所具有的源極和汲極中的一方分別供應電位VDD。此外，對場效應電晶體431所具有的閘極及場效應電晶體461所具有的閘極分別輸入設置信號SIN_D。另外，場效應電晶體431所具有的源極和汲極中的另一方的電位成為資料D11。此外，場效應電晶體461所具有的源極和汲極中的另一方的電位成為資料D24。
場效應電晶體432設置在第一鎖存單元中，且場效應電晶體462設置在第二鎖存單元中。此外，對場效應電晶體432所具有的源極和汲極中的一方及場效應電晶體462所具有的源極和汲極中的一方分別供應電位VDD。此外，對場效應電晶體432所具有的閘極及場效應電晶體462所具有的閘極分別輸入重設信號RIN_D。另外，場效應電晶體432所具有的源極和汲極中的另一方的電位成為資料D22。此外，場效應電晶體462所具有的源極和汲極中的另一方的電位成為資料D13。
場效應電晶體433設置在第一鎖存單元中。此外，對場效應電晶體433所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。另外，場效應電晶體433所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體432所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體433所具有的閘極輸入設置信號SIN_D。
場效應電晶體463設置在第二鎖存單元中。此外，對場效應電晶體463所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。另外，場效應電晶體463所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體461所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體463所具有的閘極輸入重設信號RIN_D。
場效應電晶體434設置在第一緩衝單元中，場效應電晶體464設置在第二緩衝單元中。此外，對場效應電晶體434所具有的源極和汲極中的一方及場效應電晶體464所具有的源極和汲極中的一方分別供應電位VDD。另外，場效應電晶體434所具有的源極和汲極中的另一方的電位處於信號SCOUT的電位，且場效應電晶體464所具有的源極和汲極中的另一方的電位處於信號RCOUT的電位。
場效應電晶體435設置在第一緩衝單元中，場效應電晶體465設置在第二緩衝單元中。此外，對場效應電晶體435所具有的源極和汲極中的一方及場效應電晶體465所具有的源極和汲極中的一方分別供應電位VSS。另外，場效應電晶體435所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體434所具有的源極和汲極中的另一方電連接，且場效應電晶體465所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體464所具有的源極和汲極中的另一方電連接。
場效應電晶體436設置在第一開關單元中，且場效應電晶體466設置在第二開關單元中。此外，對場效應電晶體436所具有的源極和汲極中的一方及場效應電晶體466所具有的源極和汲極中的一方分別供應電位VDD。此外，對場效應電晶體436所具有的閘極及場效應電晶體466所具有的閘極分別輸入控制信號CTL1_D。
場效應電晶體437設置在第一開關單元中，且場效應電晶體467設置在第二開關單元中。此外，對場效應電晶體437所具有的源極和汲極中的一方及場效應電晶體467所具有的源極和汲極中的一方分別供應電位VDD。此外，對場效應電晶體437所具有的閘極及場效應電晶體467所具有的閘極分別輸入控制信號CTL2_D。
場效應電晶體438設置在第一開關單元中。此外，場效應電晶體438所具有的源極和汲極中的一方與場效應電晶體436所具有的源極和汲極中的另一方及場效應電晶體437所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，場效應電晶體438所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體431所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體438所具有的閘極輸入控制信號CTL3_D。
場效應電晶體468設置在第二開關單元中。此外，場效應電晶體468所具有的源極和汲極中的一方與場效應電晶體466所具有的源極和汲極中的另一方及場效應電晶體467所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，場效應電晶體468所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體462所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體468所具有的閘極輸入控制信號CTL4_D。
場效應電晶體439設置在第三開關單元中。此外，對場效應電晶體439所具有的源極和汲極中的一方供應電位VDD。此外，場效應電晶體439所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體432所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體439所具有的閘極輸入信號RCOUT作為控制信號CTL5_D。
場效應電晶體469設置在第四開關單元中。對場效應電晶體469所具有的源極和汲極中的一方供應電位VDD。此外，場效應電晶體469所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體461所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，對場效應電晶體469所具有的閘極輸入信號SCOUT作為控制信號CTL6_D。
對場效應電晶體440所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。此外，場效應電晶體440所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體431所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，場效應電晶體440所具有的閘極與場效應電晶體432所具有的源極和汲極中的另一方電連接。
對場效應電晶體470所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。此外，場效應電晶體470所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體462所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，場效應電晶體470所具有的閘極與場效應電晶體461所具有的源極和汲極中的另一方電連接。
對場效應電晶體441所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。此外，場效應電晶體441所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體432所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，場效應電晶體441所具有的閘極與場效應電晶體434所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，不一定必須設置場效應電晶體441。
對場效應電晶體471所具有的源極和汲極中的一方供應電位VSS。此外，場效應電晶體471所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體463所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，場效應電晶體471所具有的閘極與場效應電晶體464所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，不一定必須設置場效應電晶體471。
場效應電晶體442所具有的源極和汲極中的一方與場效應電晶體431所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，場效應電晶體442所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體434所具有的閘極電連接。另外，對場效應電晶體442所具有的閘極供應電位VDD。此外，不一定必須設置場效應電晶體442。
場效應電晶體472所具有的源極和汲極中的一方與場效應電晶體462所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，場效應電晶體472所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體464所具有的閘極電連接。另外，對場效應電晶體472所具有的閘極供應電位VDD。此外，不一定必須設置場效應電晶體472。
對場效應電晶體443及場效應電晶體473所具有的源極和汲極中的一方分別供應電位VDD。此外，場效應電晶體443所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體435所具有的閘極電連接，且場效應電晶體473所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體465所具有的閘極電連接。另外，對場效應電晶體443所具有的閘極輸入初始化信號INI_RES1，且對場效應電晶體473所具有的閘極輸入初始化信號INI_RES2。此外，不一定必須設置場效應電晶體443及場效應電晶體473。
對場效應電晶體444及場效應電晶體474所具有的源極和汲極中的一方分別供應電位VDD。此外，場效應電晶體444所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體431所具有的源極和汲極中的另一方電連接，且場效應電晶體474所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體462所具有的源極和汲極中的另一方電連接。另外，對場效應電晶體444所具有的閘極輸入初始化信號INI_RES2，且對場效應電晶體474所具有的閘極輸入初始化信號INI_RES1。此外，不一定必須設置場效應電晶體444及場效應電晶體474。
對電容元件451所具有的一對電極中的一方供應電位VSS。此外，電容元件451所具有的一對電極中的另一方與場效應電晶體435所具有的閘極電連接。
對電容元件481所具有的一對電極中的一方供應電位VSS。此外，電容元件481所具有的一對電極中的另一方與場效應電晶體465所具有的閘極電連接。
電容元件452所具有的一對電極中的一方與場效應電晶體434所具有的閘極電連接。此外，電容元件452所具有的一對電極中的另一方與場效應電晶體434所具有的源極和汲極中的另一方電連接。
電容元件482所具有的一對電極中的一方與場效應電晶體464所具有的閘極電連接。此外，電容元件482所具有的一對電極中的另一方與場效應電晶體464所具有的源極和汲極中的另一方電連接。
另外，不一定必須設置電容元件451、電容元件452、電容元件481及電容元件482。
場效應電晶體491設置在第三緩衝單元中。此外，對場效應電晶體491所具有的源極和汲極中的一方供應電位TCOMH。電位TCOMH的值大於電位VDD的值。另外，場效應電晶體491所具有的源極和汲極中的另一方的電位是信號COUT的電位。此外，對場效應電晶體491所具有的閘極輸入信號SCOUT。
場效應電晶體492設置在第三緩衝單元中。此外，對場效應電晶體492所具有的源極和汲極中的一方供應電位TCOML。電位TCOML的值小於電位VSS的值。另外，場效應電晶體492所具有的源極和汲極中的另一方與場效應電晶體491所具有的源極和汲極中的另一方電連接。此外，對場效應電晶體492所具有的閘極輸入信號RCOUT。
在圖15B所示的驅動信號輸出電路中，根據設置信號SIN_D場效應電晶體431及場效應電晶體433成為導通狀態，作為第一鎖存單元的資料D11寫入電位VDD，場效應電晶體434成為導通狀態，信號SCOUT的電位成為電位VH，且信號SCOUT成為高位準。此時，作為第一鎖存單元的資料D22寫入電位VSS，且場效應電晶體435處於截止狀態。此外，根據設置信號SIN_D場效應電晶體461成為導通狀態，作為第二鎖存單元的資料D24寫入電位VDD，場效應電晶體465成為導通狀態，信號RCOUT的電位成為電位VL，且信號RCOUT成為低位準。此時，場效應電晶體464處於截止狀態。
此外，在圖15B所示的驅動信號輸出電路中，根據重設信號RIN_D場效應電晶體432成為導通狀態，作為第一鎖存單元的資料D22寫入電位VDD，場效應電晶體435成為導通狀態，信號SCOUT的電位成為電位VL，信號SCOUT成為低位準。此時，因為場效應電晶體440處於導通狀態且場效應電晶體431處於截止狀態，所以場效應電晶體434處於截止狀態。此外，根據重設信號RIN_D場效應電晶體462成為導通狀態，場效應電晶體464成為導通狀態，信號RCOUT的電位成為電位VH，信號RCOUT成為高位準。此時，作為第二鎖存單元的資料D24寫入電位VSS，且場效應電晶體465處於截止狀態。
此外，在圖15A和15B所示的驅動信號輸出電路中，藉由輸入初始化信號INI_RES1的脈衝，信號SCOUT成為低位準，信號RCOUT成為高位準。此外，藉由輸入初始化信號INI_RES2的脈衝，信號SCOUT成為高位準，且信號RCOUT成為低位準。
此外，對圖13所示的多個驅動信號輸出電路分別作為設置信號SIN_D、重設信號RIN_D、控制信號CTL1_D、控制信號CTL2_D輸入的信號與對圖7B所示的多個驅動信號輸出電路作為設置信號SIN_D、重設信號RIN_D、控制信號CTL1_D、控制信號CTL2_D輸入的信號相同。
再者，作為圖13所示的驅動信號輸出電路233_1的控制信號CTL3_D輸入時脈信號FCLK1。
此外，作為驅動信號輸出電路233_2的控制信號CTL3_D輸入時脈信號GCLK1。
此外，作為驅動信號輸出電路233_L的控制信號CTL3_D輸入驅動信號輸出電路233_L-2的信號SCOUT。
此外，作為驅動信號輸出電路233_1的控制信號CTL4_D輸入時脈信號FCLK2。
此外，作為驅動信號輸出電路233_2的控制信號CTL4_D輸入時脈信號GCLK2。
此外，作為驅動信號輸出電路233_L的控制信號CTL4_D輸入驅動信號輸出電路233_L-2的信號RCOUT。
以上是圖13所示的信號線驅動電路的說明。
接著，作為本實施例中的信號線驅動電路的驅動方法例子，參照圖16的時序圖說明圖7B所示的信號線驅動電路的驅動方法例子。另外，作為一個例子，時脈信號CLK1至時脈信號CLK4分別是工作比為25%且按順序錯開1/4週期的時脈信號。此外，時脈信號FCLK1、時脈信號FCLK2、時脈信號GCLK1及時脈信號GCLK2分別是工作比為50%的時脈信號，時脈信號FCLK1是時脈信號GCLK1的反轉信號，時脈信號FCLK2是時脈信號FCLK1的反轉信號，並且時脈信號GCLK2是時脈信號GCLK1的反轉信號。
如圖16所示，在圖7B所示的信號線驅動電路的驅動方法例子中，在期間T21對移位暫存器230及選擇電路232_1輸入起始脈衝信號SP的脈衝。
此時，根據時脈信號CLK1至時脈信號CLK4在期間T22對選擇電路232_2輸入脈衝信號SROUT_1的脈衝，在期間T23對選擇電路232_3輸入脈衝信號SROUT_2的脈衝，在期間T24對選擇電路232_4輸入脈衝信號SROUT_3的脈衝，且在期間T25對選擇電路232_5輸入脈衝信號SROUT_4的脈衝。另外，在期間T21至期間T29時脈信號FCLK1處於低位準，時脈信號FCLK2處於高位準，時脈信號GCLK1處於高位準，且時脈信號GCLK2成為低位準。
此時，選擇電路232_Q將被輸入的脈衝信號SROUT的脈衝看作脈衝信號SELOUT2的脈衝輸出。
此時，選擇電路232_R將被輸入的脈衝信號SROUT的脈衝看作脈衝信號SELOUT1的脈衝輸出。
脈衝信號SELOUT1的脈衝被輸入到驅動信號輸出電路233_R中作為設置信號SIN_D的脈衝。對輸入有設置信號SIN_D的脈衝的驅動信號輸出電路233_R寫入電位VDD作為資料D1以及電位VSS作為資料D2。因此，信號DOUT1的電位成為電位TCOMH，且信號DOUT2的電位成為電位VH。例如，驅動信號輸出電路233_2的信號DOUT1(共同信號CS_2)在期間T22成為電位TCOMH，且驅動信號輸出電路233_4的信號DOUT1(共同信號CS_4)在期間T24成為電位TCOMH。
此外，脈衝信號SELOUT2的脈衝被輸入到驅動信號輸出電路233_Q中作為重設信號RIN_D的脈衝。對輸入有重設信號RIN_D的脈衝的驅動信號輸出電路233_Q寫入電位VSS作為資料D1以及電位VDD作為資料D2。因此，信號DOUT1的電位成為電位TCOML，且信號DOUT2的電位成為電位VL。例如，驅動信號輸出電路233_1的信號DOUT1(共同信號CS_1)在期間T21成為電位TCOML，且驅動信號輸出電路233_3的信號DOUT1(共同信號CS_3)在期間T23成為電位TCOML。
再者，在期間T26至期間T29，根據時脈信號CLK1至時脈信號CLK4、時脈信號FCLK1和時脈信號FCLK2以及時脈信號GCLK1和時脈信號GCLK2，輸入到驅動信號輸出電路233_R的控制信號CTL1及控制信號CTL2成為高位準。由此，對驅動信號輸出電路233_R寫入電位VDD作為資料的改寫。另外，也可以反復進行期間T26至期間T29的工作。由此，直到再次對移位暫存器230輸入起始脈衝信號SP的脈衝可以抑制資料D1的電位的變動。
再者，在期間T30再次對移位暫存器230及選擇電路232_1輸入起始脈衝信號SP的脈衝。
此時，根據時脈信號CLK1至時脈信號CLK4在期間T31對選擇電路232_2輸入脈衝信號SROUT_1的脈衝，在期間T32對選擇電路232_3輸入脈衝信號SROUT_2的脈衝，且在期間T33對選擇電路232_4輸入脈衝信號SROUT_3的脈衝。另外，在期間T30至期間T34時脈信號FCLK1處於高位準，時脈信號FCLK2處於低位準，時脈信號GCLK1處於低位準，且時脈信號GCLK2處於高位準。
此時，選擇電路232_Q將被輸入的脈衝信號SROUT的脈衝看作脈衝信號SELOUT1的脈衝輸出。
另外，選擇電路232_R將被輸入的脈衝信號SROUT的脈衝看作脈衝信號SELOUT2的脈衝輸出。
再者，對輸入有設置信號SIN_D的脈衝的驅動信號輸出電路233_Q寫入電位VDD作為資料D1以及電位VSS作為資料D2。因此，信號DOUT1的電位成為電位TCOMH，且信號DOUT2的電位成為電位VH。
此外，對輸入有重設信號RIN_D的脈衝的驅動信號輸出電路233_R寫入電位VSS作為資料D1以及電位VDD作為資料D2。因此，信號DOUT1的電位成為電位TCOML，且信號DOUT2的電位成為電位VL。
以上是圖7A所示的信號線驅動電路的驅動方法的例子。
另外，在本實施例的信號線驅動電路的驅動方法例子中，例如，如圖17所示，也可以採用時脈信號FCLK1和時脈信號GCLK1是相同的信號且時脈信號FCLK2和時脈信號GCLK2是相同的信號的驅動方法。此時，驅動信號輸出電路_K的信號DOUT1是驅動信號輸出電路_K-1的信號DOUT1轉移的信號，驅動信號輸出電路_K的信號DOUT2是驅動信號輸出電路_K-1的信號DOUT2轉移的信號。
再者，參照圖18的時序圖說明圖7A的液晶顯示裝置所具有的像素電路210的工作例子。
如圖18所示，當在某個圖框期間F1對第M列N行的像素電路210寫入資料時，在像素電路210中由於藉由共同信號線CL_M輸入的共同信號CS_M而液晶元件212所具有的一對電極中的另一方的電位(也稱為VLC2)成為電位TCOML。此外，液晶元件212所具有的一對電極中的另一方的電位的切換只要在結束閘極信號GS_M的脈衝的輸入之前進行即可，例如也可以在輸入閘極信號GS_M的脈衝的期間中切換液晶元件212所具有的一對電極中的另一方的電位。
再者，藉由閘極信號線GL_M輸入閘極信號GS_M的脈衝，並且在像素電路210中場效應電晶體211成為導通狀態。
此時，在像素電路210中，液晶元件212所具有的一對電極中的一方的電位(也稱為電位VLC1)的值與藉由資料信號線DL_N輸入的資料信號DS的電位的值同等。在此，電位VLC1是電位+VDATA。因此，施加到液晶元件212的一對電極之間的電壓是+VDATA-TCOML。由此，對像素電路210寫入資料。
然後，閘極信號GS_M的脈衝的輸入結束，場效應電晶體211成為截止狀態，並且在像素電路210中保持積累在液晶元件212所具有的一對電極中的一方的電荷。在輸入有資料的像素電路210中，在液晶元件212中根據施加到一對電極之間的電壓控制液晶層所包括的液晶的配向。由此，上述像素電路210成為顯示狀態。
再者，由於藉由共同信號線CL_M輸入的共同信號CS_M而在像素電路210中液晶元件212所具有的一對電極中的另一方的電位(也稱為VLC2)成為電位TCOMH。
再者，當在下一個圖框期間F2中，對相同的第M列N行的像素電路210寫入反轉資料時，藉由閘極信號線GL_M輸入閘極信號GS_M的脈衝，由此在像素電路210中場效應電晶體211成為導通狀態。
此時，在像素電路210中，液晶元件212的電位VLC1的值與藉由資料信號線DL_N輸入的資料信號DS的電位的值同等。在此，電位VLC1是電位-VDATA。由此，施加到液晶元件212的一對電極之間的電壓是TCOMH-VDATA。
然後，閘極信號GS的脈衝的輸入結束，場效應電晶體211成為截止狀態，並且在像素電路210中保持積累在液晶元件212所具有的一對電極中的一方的電荷。在輸入有資料的像素電路210中，在液晶元件212中根據施加到一對電極之間的電壓控制液晶層所包括的液晶的配向。由此，上述像素電路210成為顯示狀態。
如圖18所示，在本實施例的液晶顯示裝置中，因為藉由在每個圖框期間使資料信號及共同信號的極性反轉，可以減小資料信號的振幅，所以可以減小閘極信號的振幅。因此，可以降低驅動電壓，從而可以減少耗電量。
另外，當不需要對像素電路210寫入資料時，也可以停止對信號線驅動電路201至信號線驅動電路203的電源供應。由此，可以減少液晶顯示裝置的耗電量。此外，藉由作為像素電路210的場效應電晶體211使用截止電流低的場效應電晶體，在停止對信號線驅動電路201至信號線驅動電路203的電源供應的期間也可以顯示相同的影像。
以上是本實施例的液晶顯示裝置的說明。
如參照圖7A和7B至圖18所說明，在本實施例的液晶顯示裝置的一個例子中可以採用如下驅動方法，即藉由使用信號線驅動電路控制共同信號線的電位，在每個圖框期間中使各行的每個像素電路的液晶元件所具有的一對電極中的一方的電位的極性和另一方的電位的極性反轉。
此外，在本實施例的液晶顯示裝置的一個例子中，使用上述實施例1所示的信號線驅動電路構成控制共同信號線的電位的信號線驅動電路。由此，在不對移位暫存器輸入起始脈衝信號的脈衝的期間也可以再次寫入鎖存單元的第一資料。由此，例如可以抑制構成驅動信號輸出電路的場效應電晶體的洩漏電流所引起的成為第一資料的電位的變動，從而可以抑制液晶顯示裝置的工作故障。 [實施例3]
在本實施例中，參照圖19說明實施例2所示的液晶顯示裝置的結構例子。
本實施例中的液晶顯示裝置的例子是橫向電場方式的液晶顯示裝置，並且如圖19所示，它包括導電層701a至導電層701c、絕緣層702、半導體層703a及半導體層703b、導電層704a至導電層704d、絕緣層705、著色層706、絕緣層707、結構體708a至結構體708d、導電層709、導電層710、絕緣層722、絕緣層723以及液晶層750。
導電層701a至導電層701c設置在基板700的一個平面上。
導電層701a設置在信號線驅動電路部800中。導電層701a具有信號線驅動電路的場效應電晶體所具有的閘極的功能。
導電層701b設置在像素電路部801中。導電層701b具有像素電路的場效應電晶體所具有的閘極的功能。
導電層701c設置在像素電路部801中。導電層701c具有像素電路的電容元件所具有的一對電極中的另一方的功能。
絕緣層702設置在導電層701a至導電層701c上。絕緣層702具有信號線驅動電路的場效應電晶體所包括的閘極絕緣層、像素電路的場效應電晶體所包括的閘極絕緣層及像素電路的電容元件所包括的介電質層的功能。
半導體層703a隔著絕緣層702與導電層701a重疊。半導體層703a具有信號線驅動電路的場效應電晶體所包括的形成通道的層(也稱為通道形成層)的功能。
半導體層703b隔著絕緣層702與導電層701b重疊。半導體層703b具有像素電路的場效應電晶體所包括的通道形成層的功能。
導電層704a與半導體層703a電連接。導電層704a具有信號線驅動電路的場效應電晶體所包括的源極和汲極中的一方的功能。
導電層704b與半導體層703a電連接。導電層704b具有信號線驅動電路的場效應電晶體所包括的源極和汲極中的另一方的功能。
導電層704c與半導體層703b電連接。導電層704c具有像素電路的場效應電晶體所包括的源極和汲極中的一方的功能。
導電層704d與半導體層703b電連接。此外，導電層704d隔著絕緣層702與導電層701c重疊。導電層704d具有像素電路的場效應電晶體所包括的源極和汲極中的另一方以及像素電路的電容元件所包括的一對電極中的一方的功能。
絕緣層705設置在半導體層703a及半導體層703b上以及導電層704a至導電層704d上。絕緣層705具有保護場效應電晶體的絕緣層(也稱為保護絕緣層)的功能。
著色層706設置在絕緣層705上。著色層706具有濾光片的功能。
絕緣層707隔著著色層706設置在絕緣層705上。絕緣層707具有平坦化層的功能。
結構體708a至結構體708d設置在絕緣層707上。藉由設置結構體708a至結構體708d，可以高效地控制液晶元件所包括的液晶的配向。
導電層709設置在絕緣層707上，並在穿過絕緣層705及絕緣層707地設置的開口部中與導電層704d電連接。此外，導電層709具有疏齒部。另外，導電層709所具有的疏齒部的疏齒夾著結構體708b或結構體708d設置在絕緣層707上。導電層709具有像素電路的液晶元件所包括的一對電極中的一方的功能。
導電層710設置在絕緣層707上。此外，導電層710具有疏齒部，且該疏齒部的疏齒與導電層709的疏齒部的疏齒交替地並列設置。此外，導電層710所具有的疏齒部的疏齒夾著結構體708a或結構體708c地設置在絕緣層707上。導電層710具有像素電路的液晶元件所包括的一對電極中的另一方的功能。
此外，導電層709及導電層710夾著絕緣層707與著色層706重疊。
絕緣層722設置在基板720的一個平面上。絕緣層722具有平坦化層的功能。
絕緣層723設置在絕緣層722的一個平面上。絕緣層723具有保護絕緣層的功能。
液晶層750設置在導電層709及導電層710上。
另外，雖然在圖19中，作為場效應電晶體採用通道蝕刻型場效應電晶體，但是不侷限於此而例如也可以採用通道停止型場效應電晶體。此外，也可以採用頂閘極型場效應電晶體。
再者，說明圖19所示的液晶顯示裝置的各構成要素。
作為基板700及基板720，例如也可以採用玻璃基板或塑膠基板。
作為導電層701a至導電層701c例如可以使用包含鉬、鈦、鉻、鉭、鎂、銀、鎢、鋁、銅、釹或鈧等金屬材料的層。此外，也可以由能夠應用於導電層701a至導電層701c的材料的層的疊層構成導電層701a至導電層701c。
作為絕緣層702，例如可以使用包含氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁、氮氧化鋁或氧化鉿等的材料的層。此外，也可以由能夠應用於絕緣層702的材料的層的疊層構成絕緣層702。
作為半導體層703a及半導體層703b，例如可以使用氧化物半導體層或包含週期表中第14族的半導體(例如，矽等)的半導體層等。
例如，包含氧化物半導體的半導體層例如是單晶、多晶或非晶。
作為能夠應用於半導體層703a及半導體層703b的氧化物半導體，例如可以舉出包含銦和鎵中的一者或兩者以及鋅的金屬氧化物或者包含其他金屬元素代替該金屬氧化物中的鎵的一部分或全部的金屬氧化物等。
作為上述金屬氧化物，例如可以使用In類金屬氧化物、Zn類金屬氧化物、In-Zn類金屬氧化物或In-Ga-Zn類金屬氧化物等。此外，也可以使用包含其他金屬元素代替包含在In-Ga-Zn類金屬氧化物中的Ga(鎵)的一部分或全部的金屬氧化物。
作為上述其他金屬元素，例如可以使用與鎵相比能夠結合於更多的氧原子的金屬元素諸如鈦、鋯、鉿、鍺和錫中的一種或多種。另外，作為上述其他金屬元素，可以使用鑭、鈰、鐠、釹、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈦、鉺、銩、鐿及鑥中的一種或多種。此外，上述其他金屬元素具有穩定劑的功能。另外，上述其他金屬元素的添加量是該金屬氧化物能夠用作半導體的量。藉由使用與鎵相比能夠結合於更多的氧原子的金屬元素且對金屬氧化物供應氧，可以減少金屬氧化物中的氧缺陷。
例如，當使用錫代替上述In-Ga-Zn類金屬氧化物所包含的Ga(鎵)的全部時得到In-Sn-Zn類金屬氧化物，並且當使用鈦代替上述In-Ga-Zn類金屬氧化物所包含的Ga(鎵)的一部分時得到In-Ti-Ga-Zn類金屬氧化物。
此外，作為上述氧化物半導體層也可以使用包括CAAC-OS(C Axis Aligned Crystaline Oxide Semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)的氧化物半導體層。
CAAC-OS不是完全的單晶，也不是完全的非晶，並且是在非晶相中具有結晶部的結晶-非晶混合相結構的氧化物半導體。再者，包括在CAAC-OS中的結晶部的c軸在平行於CAAC-OS膜的被形成面的法線向量或表面的法線向量的方向上一致，在從垂直於ab面的方向看時具有三角形或六角形的原子排列，且在從垂直於c軸的方向看時，金屬原子排列為層狀或者金屬原子和氧原子排列為層狀。注意，在本說明書中，在只記載“垂直”時，也包括85°以上且95°以下的範圍。另外，當只記載“平行”時，包括-5°以上且5°以下的範圍。
在將包括上述CAAC-OS的氧化物半導體的層用作通道形成層的場效應電晶體中，因可見光或紫外光的照射所引起的電特性的變動少，所以其可靠性高。
此外，當作為半導體層703a及半導體層703b使用氧化物半導體層時，例如藉由進行脫水化、脫氫化，去除氧化物半導體層中的氫、水、羥基或氫化物(也稱為氫化合物)等雜質且對氧化物半導體層供應氧，可以使氧化物半導體層高度純化。例如，藉由作為與氧化物半導體層接觸的層使用包含氧的層並進行加熱處理，可以使氧化物半導體層高度純化。
例如，以350℃以上且低於基板的應變點的溫度，較佳為以350℃以上且450℃以下進行加熱處理。再者，也可以在之後的製程中進行加熱處理。此時，作為進行上述加熱處理的加熱處理裝置，例如可以使用電爐或藉由來自諸如電阻發熱體等的發熱體的熱傳導或熱輻射對被處理物進行加熱的裝置。例如，可以使用諸如GRTA(Gas Rapid Thermal Annealing：氣體快速熱退火)裝置或LRTA(Lamp Rapid Thermal Annealing：燈快速熱退火)裝置等的RTA(Rapid Thermal Annealing：快速熱退火)裝置。
另外，在進行上述加熱處理之後，也可以在維持該加熱溫度的同時或在進行從該加熱溫度的降溫的過程中對與進行該加熱處理的爐相同的爐中引入高純度的氧氣體、高純度的N₂O氣體或超乾燥空氣(露點為-40℃以下，較佳為-60℃以下的氛圍)。此時，較佳為氧氣體或N₂O氣體不包含水、氫等。此外，較佳為將引入到加熱處理裝置中的氧氣體或N₂O氣體的純度設定為6N以上，較佳為設定為7N以上，即，將氧氣體或N₂O氣體中的雜質濃度設定為1ppm以下，較佳為設定為0.1ppm以下。由於氧氣體或N₂O氣體的作用氧化物半導體層被供給氧，從而可以降低起因於氧化物半導體層中的氧缺乏的缺陷。另外，也可以在進行上述加熱處理時引入上述高純度的氧氣體、高純度的N₂O氣體或超乾燥氣體。
藉由將被高度純化的氧化物半導體層用於場效應電晶體，可以將氧化物半導體層的載流子密度設定為低於1×10¹⁴/cm³，較佳為低於1×10¹²/cm³，更佳為低於1×10¹¹/cm³。此外，可以將每通道寬度1μm的場效應電晶體的截止電流設定為10aA(1×10^-17A)以下，甚至為1aA(1×10^-18A)以下，甚至為10zA(1×10^-20A)以下，甚至為1zA(1×10^-21A)以下，甚至為100yA(1×10^-22A)以下。場效應電晶體的截止電流越低越好，但是，本實施例中的場效應電晶體的截止電流的下限值被估計大約為10^-30A/μm。
作為導電層704a至導電層704d，例如可以使用包含鉬、鈦、鉻、鉭、鎂、銀、鎢、鋁、銅、釹、鈧或釕等的金屬材料的層。此外，藉由層疊能夠應用於導電層704a至導電層704d的材料的層，也可以構成導電層704a至導電層704d。
作為絕緣層705，可以使用氧化矽、氧化鋁、氧化鉿等的氧化絕緣層。
作為著色層706，例如可以使用包含染料或顏料且透過呈現紅色的波長的光、呈現綠色的波長的光或呈現藍色的波長的光的層。此外，作為著色層706，也可以使用包含染料或顏料且透過呈現青色、洋紅色或黃色的顏色的波長的光的層。
作為絕緣層707及絕緣層722，例如可以使用有機絕緣材料或無機絕緣材料的層等。
結構體708a至結構體708d例如使用有機絕緣材料或無機絕緣材料等構成。
作為導電層709例如可以使用透過光的金屬氧化物的層等。例如，可以使用包含銦的金屬氧化物等。此外，藉由層疊能夠應用於導電層709的材料的層，也可以構成導電層709。
作為導電層710例如可以使用透過光的金屬氧化物的層等。例如，可以使用包含銦的金屬氧化物等。此外，藉由層疊能夠應用於導電層710的材料的層，也可以構成導電層710。
作為絕緣層723，例如可以使用包含氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁、氮氧化鋁或氧化鉿等的材料的層。
此外，作為液晶層750例如可以使用包括呈現藍相的液晶的層。
包括呈現藍相的液晶的層例如由包含呈現藍相的液晶、手性試劑、液晶性單體、非液晶性單體及聚合引發劑的液晶組成物構成。呈現藍相的液晶的回應時間短，且由於其具有光學各向同性而不需要配向處理並且視角依賴性小。因此，藉由使用呈現藍相的液晶可以提高液晶顯示裝置的工作速度。
作為上述液晶組成物，例如可以使用表1所示的組成物。另外，作為混合比示出各液晶材料的混合比；液晶與手性試劑的混合比；液晶及手性試劑、液晶性單體、非液晶性單體的混合比或液晶；手性試劑；液晶性單體及非液晶性單體與聚合引發劑的混合比。
注意，CPP-3FF是4-(反式-4-n-丙基環己基)-3',4'-二氟-1,1'-聯苯的簡稱。PEP-5CNF是4-n-正戊基苯甲酸4-氰-3-氟苯基的簡稱。PEP-5FCNF是4-n-正戊基苯甲酸4-氰-3,5-二氟苯基的簡稱。ISO-(6OBA)₂是1,4：3,6-二脫水(dianhydro)-2,5-雙[4-(n-己基-1-氧基(oxy))苯甲酸]山梨醇的簡稱。另外，RM257-O6是1,4-雙-[4-(6-丙烯醯氧基-n-己基-1-氧基)苯甲醯氧基]-2-甲苯的簡稱。另外，DMeAc是甲基丙烯酸n-十二烷基酯的簡稱。另外，DMPAP是2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮的簡稱。
此外，作為液晶組成物，例如也可以使用表2所示的組成物。
注意，CPEP-5FCNF是4-(反式-4-n-戊基環己基)苯甲酸4-氰-3,5-二氟苯基的簡稱。PEP-3FCNF是4-n-戊基苯甲酸4-氰-3,5-二氟苯基的簡稱。R-DOL-Pn是(4R,5R)-2,2'-二甲基-α-α-α'-α'-四(9-菲基)-1,3-二氧戊環-4,5-二甲醇的簡稱。
此外，作為上述液晶組成物，例如也可以使用表3所示的組成物。
另外，PPEP-5FCNF是4-(4-n-戊基苯基)苯甲酸4-氰-3,5-二氟苯基的簡稱。
以上是圖19所示的液晶顯示裝置的結構例子的說明。
如圖19所說明，在本實施例的液晶顯示裝置的一個例子中，在與像素電路同一基板上設置信號線驅動電路。由此，可以減少用來使像素電路和信號線驅動電路連接的佈線的數量。
此外，在本實施例的液晶顯示裝置的一個例子中，使用呈現藍相的液晶構成液晶元件。由此，可以提高液晶顯示裝置的工作速度。 [實施例4]
在本實施例中，參照圖20A至20D說明具備使用實施例2及實施例3所示的液晶顯示裝置的面板的電子裝置的例子。
圖20A至20D示出本實施例中的電子裝置的結構例子的模式圖。
圖20A所示的電子裝置是可攜式資訊終端的例子。
圖20A所示的資訊終端包括外殼1011、設置在外殼1011中的面板1012以及按鈕1013。
另外，也可以在外殼1011中設置用來將圖20A所示的電子裝置連接到外部設備的連接端子和用來操作圖20A所示的電子裝置的按鈕中的一個或多個。
面板1012具有顯示面板的功能。
作為面板1012可以使用上述實施例2及實施例3的液晶顯示裝置。
此外，面板1012也可以具有觸控面板的功能。此時，例如也可以在面板1012顯示鍵盤的影像並藉由用手指等觸摸鍵盤的影像進行輸入工作。
按鈕1013設置在外殼1011中。例如，當設置電源按鈕的按鈕1013時，藉由按下按鈕1013可以控制電子裝置是否處於導通狀態。
圖20A所示的電子裝置例如具有電話機、電子書閱讀器、個人電腦和遊戲機中的一種或多種的功能。
圖20B所示的電子裝置是折疊式資訊終端的例子。
圖20B所示的電子裝置包括外殼1021a、外殼1021b、設置在外殼1021a中的面板1022a、設置在外殼1021b中的面板1022b、軸部1023、按鈕1024、連接端子1025以及儲存媒體插入部1026。
外殼1021a和外殼1021b由軸部1023連接。
面板1022a及面板1022b具有顯示面板的功能。例如，面板1022a及面板1022b可以顯示彼此不同的影像或一影像。此外，也可以以將面板1022a和面板1022b配置在上下方向上或左右方向上的狀態操作圖20B所示的電子裝置。
作為面板1022a及面板1022b可以使用上述實施例2及實施例3的液晶顯示裝置。
此外，面板1022a和面板1022b中的一者或兩者也可以具有觸控面板的功能。此時，例如也可以在面板1022a和面板1022b中的一者或兩者顯示鍵盤的影像並藉由用手等觸摸鍵盤的影像進行輸入工作。
因為圖20B所示的電子裝置包括軸部1023，所以例如藉由轉動外殼1021a或外殼1021b使外殼1021a重疊於外殼1021b，而可以折疊電子裝置。
按鈕1024設置在外殼1021b中。另外，也可以在外殼1021a中設置按鈕1024。例如，當設置具有電源按鈕的功能的按鈕1024時，藉由按下按鈕1024可以控制是否對電子裝置中的電路供應電力。
連接端子1025設置在外殼1021a中。另外，也可以在外殼1021b中設置連接端子1025。此外，也可以將多個連接端子1025設置在外殼1021a和外殼1021b中的一者或兩者。連接端子1025是用來使圖20B所示的電子裝置與其他設備連接的端子。
儲存媒體插入部1026設置在外殼1021a中。另外，也可以在外殼1021b中設置儲存媒體插入部1026。此外，也可以將多個儲存媒體插入部1026設置在外殼1021a和外殼1021b中的一者或兩者。例如，藉由對儲存媒體插入部插入卡型儲存媒體，可以進行從卡型儲存媒體到電子裝置的資料的讀出或對卡型儲存媒體的電子裝置中的資料的寫入。
圖20B所示的電子裝置例如具有電話機、電子書閱讀器、個人電腦和遊戲機中的一種或多種的功能。
圖20C所示的電子裝置是固定式資訊終端的例子。圖20C所示的固定式資訊終端包括外殼1031、設置在外殼1031的面板1032以及按鈕1033。
面板1032具有顯示面板及觸控面板的功能。
另外，也可以將面板1032設置在外殼1031中的甲板部1034中。
作為面板1032可以使用上述實施例2及實施例3的液晶顯示裝置。
再者，也可以在外殼1031設置用來輸出票券等的票券輸出部、硬幣投入部和紙幣投入部中的一個或多個。
按鈕1033設置在外殼1031上。例如，當設置電源按鈕的功能的按鈕1033時，藉由按下按鈕1033可以控制是否對電子裝置中的電路供應電力。
圖20C所示的電子裝置例如具有可以用作自動取款機、用於訂票等的資訊通信終端(也稱為多媒體站)或遊戲機的功能。
圖20D是固定式資訊端末的例子。圖20D所示的電子裝置包括外殼1041、設置在外殼1041中的面板1042、支撐外殼1041的支架1043、按鈕1044以及連接端子1045。
另外，也可以在外殼1041設置用來連接到外部設備的連接端子和用來操作圖20D所示的電子裝置的按鈕中的一個或多個。
面板1042具有顯示面板的功能。此外，面板1042具有觸控面板的功能。
作為面板1042可以使用上述實施例2及實施例3的液晶顯示裝置。
按鈕1044設置在外殼1041中。例如，當設置具有電源按鈕的功能的按鈕1044時，藉由按下按鈕1044可以控制是否對電子裝置中的電路供應電力。
連接端子1045設置在外殼1041中。連接端子1045是用來使圖20D所示的電子裝置與其他設備連接的端子。例如，藉由由連接端子1045使圖20D所示的電子裝置與個人電腦連接，面板1042可以顯示對應於從個人電腦輸入的資料信號的影像。例如，當圖20D所示的電子裝置的面板1042大於與該面板1042連接的電子裝置的面板時，可以擴大其他電子裝置的顯示影像，且多數人可以同時視覺確認。
圖20D所示的電子裝置例如具有數位相框、輸出監視器、個人電腦或電視機的功能。
以上是本實施例中的電子裝置的例子的說明。
如參照圖20A至20D所說明那樣，在本實施例的電子裝置的一個例子中，藉由設置具備上述實施例中的液晶顯示裝置的面板，可以提高面板的工作速度，從而例如可以提供動態影像再現等的工作速度高的電子裝置。
101‧‧‧移位暫存器
112‧‧‧選擇電路
113‧‧‧驅動信號輸出電路
121‧‧‧鎖存單元
122‧‧‧緩衝單元
123‧‧‧緩衝單元
124‧‧‧開關單元
131a‧‧‧鎖存單元
131b‧‧‧鎖存單元
132a‧‧‧緩衝單元
132b‧‧‧緩衝單元
133a至133d‧‧‧開關單元
134‧‧‧緩衝單元
201‧‧‧信號線驅動電路
202‧‧‧信號線驅動電路
203‧‧‧信號線驅動電路
204‧‧‧信號線驅動電路
210‧‧‧像素電路
211‧‧‧場效應電晶體
212‧‧‧液晶元件
213‧‧‧電容元件
230‧‧‧移位暫存器
231‧‧‧脈衝輸出電路
232‧‧‧選擇電路
233‧‧‧驅動信號輸出電路
311至319‧‧‧場效應電晶體
321‧‧‧電容元件
322‧‧‧電容元件
331至336‧‧‧場效應電晶體
351至364‧‧‧場效應電晶體
371‧‧‧電容元件
372‧‧‧電容元件
431至444‧‧‧場效應電晶體
451‧‧‧電容元件
452‧‧‧電容元件
461至474‧‧‧場效應電晶體
481‧‧‧電容元件
482‧‧‧電容元件
491‧‧‧場效應電晶體
492‧‧‧場效應電晶體
700‧‧‧基板
701a‧‧‧導電層
701b‧‧‧導電層
701c‧‧‧導電層
702‧‧‧絕緣層
703a‧‧‧半導體層
703b‧‧‧半導體層
704a至704d‧‧‧導電層
705‧‧‧絕緣層
706‧‧‧著色層
707‧‧‧絕緣層
708a至708d‧‧‧結構體
709‧‧‧導電層
710‧‧‧導電層
720‧‧‧基板
722‧‧‧絕緣層
723‧‧‧絕緣層
750‧‧‧液晶層
1011‧‧‧外殼
1012‧‧‧面板
1013‧‧‧按鈕
1021a‧‧‧外殼
1021b‧‧‧外殼
1022a‧‧‧面板
1022b‧‧‧面板
1023‧‧‧軸部
1024‧‧‧按鈕
1025‧‧‧連接端子
1026‧‧‧儲存媒體插入部
1031‧‧‧外殼
1032‧‧‧面板
1033‧‧‧按鈕
1034‧‧‧甲板部
1041‧‧‧外殼
1042‧‧‧面板
1043‧‧‧支架
1044‧‧‧按鈕
1045‧‧‧連接端子
在圖式中：圖1是用來說明信號線驅動電路的例子的圖；圖2是用來說明選擇電路的例子的圖；圖3A和3B是用來說明驅動信號輸出電路的例子的圖；圖4是用來說明信號線驅動電路的例子的圖；圖5A和5B是用來說明驅動信號輸出電路的例子的圖；圖6是用來說明信號線驅動電路的驅動方法例子的時序圖；圖7A和7B是用來說明液晶顯示裝置的例子的圖；圖8A和8B是用來說明脈衝輸出電路的例子的圖；圖9A和9B是用來說明選擇電路的例子的圖；圖10A和10B是用來說明驅動信號輸出電路的例子的圖；圖11A和11B是用來說明液晶顯示裝置的例子的圖；圖12A和12B是用來說明液晶顯示裝置的例子的圖；圖13是用來說明信號線驅動電路的例子的圖；圖14A和14B是用來說明脈衝輸出電路的例子的圖；圖15A和15B是用來說明驅動信號輸出電路的例子的圖；圖16是用來說明信號線驅動電路的驅動方法例子的時序圖；圖17是用來說明信號線驅動電路的驅動方法例子的時序圖；圖18是用來說明像素電路的工作例子的時序圖；圖19是用來說明液晶顯示裝置的結構例子的剖面模式圖；圖20A至20D是用來說明電子裝置的例子的圖。
101‧‧‧移位暫存器
SP‧‧‧起始脈衝信號
FCLK1‧‧‧輸入時脈信號
FCLK2‧‧‧輸入時脈信號
GCLK1‧‧‧輸入時脈信號
GCLK2‧‧‧輸入時脈信號
112_Z‧‧‧選擇電路
112_Z+1‧‧‧選擇電路
112_Z+2‧‧‧選擇電路
CK_1‧‧‧輸入時脈信號
CK_2‧‧‧輸入時脈信號
CK_3‧‧‧輸入時脈信號
113_Z‧‧‧驅動信號輸出電路
113_Z+1‧‧‧驅動信號輸出電路
113_Z+2‧‧‧驅動信號輸出電路
DRV_Z‧‧‧驅動信號
DRV_Z+1‧‧‧驅動信號
DRV_Z+2‧‧‧驅動信號

权利要求:
Claims (12)
[1] 一種驅動電路，包括：移位暫存器；選擇電路，該選擇電路具有根據第一時脈信號及第二時脈信號決定以與從該移位暫存器輸入的脈衝信號相同的電位位準輸出第一脈衝信號還是第二脈衝信號的功能；以及驅動信號輸出電路，該驅動信號輸出電路具有根據從該選擇電路輸入的該第一脈衝信號和該第二脈衝信號以及第一控制信號和第二控制信號生成並輸出用來控制信號線的電位的驅動信號的功能，其中，該驅動信號輸出電路包括：根據該第一脈衝信號及該第二脈衝信號改寫並儲存第一資料及第二資料的鎖存單元；根據該第一資料及該第二資料設定該驅動信號的電位並輸出該驅動信號的緩衝單元；以及藉由根據該第一控制信號及該第二控制信號處於導通狀態或截止狀態控制該第一資料的改寫的開關單元。
[2] 根據申請專利範圍第1項之驅動電路，其中該驅動信號輸出電路包括場效應電晶體，該場效應電晶體使用氧化物半導體層作為通道形成層。
[3] 一種包括根據申請專利範圍第1項之驅動電路的液晶顯示裝置，還包括：資料信號線；閘極信號線；其電位被從該驅動電路輸出的該驅動信號控制的共同信號線；以及包括像素電路及液晶元件的像素，其中，該像素電路包括場效應電晶體，該場效應電晶體的源極和汲極中的一方與該資料信號線電連接，且該場效應電晶體的閘極與該閘極信號線電連接，並且，其中該液晶元件包括一對電極，該一對電極中的一方與該場效應電晶體的該源極和該汲極中的另一方電連接，且該一對電極中的另一方與該共同信號線電連接。
[4] 根據申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置，其中該場效應電晶體使用氧化物半導體層作為通道形成層。
[5] 根據申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置，還包括用作濾色片的著色層。
[6] 根據申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置，其中該液晶元件中的液晶材料呈現藍相。
[7] 一種驅動電路，包括：移位暫存器；選擇電路，該選擇電路具有根據第一時脈信號及第二時脈信號決定以與從該移位暫存器輸入的脈衝信號相同的電位位準輸出第一脈衝信號還是第二脈衝信號的功能；以及驅動信號輸出電路，該驅動信號輸出電路具有根據從該選擇電路輸入的該第一脈衝信號和該第二脈衝信號以及第一控制信號至第五控制信號生成並輸出用來控制信號線的電位的驅動信號的功能，其中，該驅動信號輸出電路包括：根據該第一脈衝信號及該第二脈衝信號改寫並儲存第一資料及第二資料的第一鎖存單元；根據該第一脈衝信號及該第二脈衝信號改寫並儲存第三資料及第四資料的第二鎖存單元；根據該第一資料及該第二資料設定第一信號的電位並輸出該第一信號的第一緩衝單元；根據該第三資料及該第四資料設定第二信號的電位並輸出該第二信號的第二緩衝單元；藉由根據該第一控制信號及該第二控制信號處於導通狀態或截止狀態控制該第一資料的改寫的第一開關單元；藉由根據該第一控制信號及該第三控制信號處於導通狀態或截止狀態控制該第三資料的改寫的第二開關單元；被輸入該第二信號作為該第四控制信號且藉由根據該第四控制信號處於導通狀態或截止狀態控制儲存在該第一鎖存單元中的該第二資料的改寫的第三開關單元；被輸入該第一信號作為該第五控制信號且藉由根據該第五控制信號處於導通狀態或截止狀態控制儲存在該第二鎖存單元中的該第四資料的改寫的第四開關單元；以及根據該第一信號及該第二信號設定該驅動信號的電位並輸出該驅動信號的第三緩衝單元。
[8] 根據申請專利範圍第7項之驅動電路，其中該驅動信號輸出電路包括場效應電晶體，該場效應電晶體使用氧化物半導體層作為通道形成層。
[9] 一種包括根據申請專利範圍第7項之驅動電路的液晶顯示裝置，還包括：資料信號線；閘極信號線；其電位被從該驅動電路輸出的該驅動信號控制的共同信號線；以及包括像素電路及液晶元件的像素，其中，該像素電路包括場效應電晶體，該場效應電晶體的源極和汲極中的一方與該資料信號線電連接，且該場效應電晶體的閘極與該閘極信號線電連接，並且，其中該液晶元件包括一對電極，該一對電極中的一方與該場效應電晶體的該源極和該汲極中的另一方電連接，且該一對電極中的另一方與該共同信號線電連接。
[10] 根據申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中該場效應電晶體使用氧化物半導體層作為通道形成層。
[11] 根據申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，還包括用作濾色片的著色層。
[12] 根據申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中該液晶元件中的液晶材料呈現藍相。

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JP6386518B2|2018-09-05|半導体装置

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公开号 | 公开日

WO2013069548A1|2013-05-16|

KR20140096344A|2014-08-05|

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JP6386518B2|2018-09-05|

CN103918025B|2016-12-21|

引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

JPH0244259B2|1987-02-24|1990-10-03|Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho||

JP3479375B2|1995-03-27|2003-12-15|科学技術振興事業団|亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法|

KR100394896B1|1995-08-03|2003-11-28|코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.|투명스위칭소자를포함하는반도체장치|

JP3625598B2|1995-12-30|2005-03-02|三星電子株式会社|液晶表示装置の製造方法|

US7196699B1|1998-04-28|2007-03-27|Sharp Kabushiki Kaisha|Latch circuit, shift register circuit, logical circuit and image display device operated with a low consumption of power|

JP4170454B2|1998-07-24|2008-10-22|Ｈｏｙａ株式会社|透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法|

JP2000150861A|1998-11-16|2000-05-30|Tdk Corp|酸化物薄膜|

JP3276930B2|1998-11-17|2002-04-22|科学技術振興事業団|トランジスタ及び半導体装置|

TW460731B|1999-09-03|2001-10-21|Ind Tech Res Inst|Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD|

US6856307B2|2000-02-01|2005-02-15|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Semiconductor display device and method of driving the same|

JP3813463B2|2000-07-24|2006-08-23|シャープ株式会社|液晶表示装置の駆動回路及びそれを用いた液晶表示装置並びにその液晶表示装置を用いた電子機器|

JP4089858B2|2000-09-01|2008-05-28|国立大学法人東北大学|半導体デバイス|

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JP2002289859A|2001-03-23|2002-10-04|Minolta Co Ltd|薄膜トランジスタ|

JP2003076332A|2001-08-31|2003-03-14|Sanyo Electric Co Ltd|表示パネルの駆動回路|

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WO2003040441A1|2001-11-05|2003-05-15|Japan Science And Technology Agency|Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film|

JP4083486B2|2002-02-21|2008-04-30|独立行政法人科学技術振興機構|ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法|

CN1445821A|2002-03-15|2003-10-01|三洋电机株式会社|ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法|

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US7339187B2|2002-05-21|2008-03-04|State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University|Transistor structures|

JP2004022625A|2002-06-13|2004-01-22|Murata Mfg Co Ltd|半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法|

US7105868B2|2002-06-24|2006-09-12|Cermet, Inc.|High-electron mobility transistor with zinc oxide|

JP4164562B2|2002-09-11|2008-10-15|独立行政法人科学技術振興機構|ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ|

US7067843B2|2002-10-11|2006-06-27|E. I. Du Pont De Nemours And Company|Transparent oxide semiconductor thin film transistors|

JP4166105B2|2003-03-06|2008-10-15|シャープ株式会社|半導体装置およびその製造方法|

JP2004273732A|2003-03-07|2004-09-30|Sharp Corp|アクティブマトリクス基板およびその製造方法|

JP4108633B2|2003-06-20|2008-06-25|シャープ株式会社|薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス|

JP4393812B2|2003-07-18|2010-01-06|株式会社半導体エネルギー研究所|表示装置及び電子機器|

US7262463B2|2003-07-25|2007-08-28|Hewlett-Packard Development Company, L.P.|Transistor including a deposited channel region having a doped portion|

US7282782B2|2004-03-12|2007-10-16|Hewlett-Packard Development Company, L.P.|Combined binary oxide semiconductor device|

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US7297977B2|2004-03-12|2007-11-20|Hewlett-Packard Development Company, L.P.|Semiconductor device|

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US8395740B2|2009-01-30|2013-03-12|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Liquid crystal display device having blue phase liquid crystal and particular electrode arrangement|

KR101662998B1|2009-03-26|2016-10-06|가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼|액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제작 방법|

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JP2018087969A|2016-11-22|2018-06-07|株式会社半導体エネルギー研究所|表示装置|

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2022-01-11| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|

优先权:

申请号 | 申请日 | 专利标题

JP2011247262||2011-11-11||

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